半導體氣體應用，你知多少？

    2、鍺烷（GeH4）：劇毒。金屬鍺是一種良好的半導體材料，鍺烷在電子工業中主要用於化學氣相澱積，形成各種不同的矽鍺合金用於電子元器件的製造。

    3、磷烷（PH3）：劇毒。主要用於矽烷外延的摻雜劑，磷擴散的雜質源。同時也用於多晶矽化學氣相澱積、外延GaP材料、離子注入工藝、化合物半導體的MOCVD工藝、磷矽玻璃（PSG）鈍化膜製備等工藝中。

    4、砷烷（AsH3）：劇毒。主要用於外延和離子注入工藝中的n型摻雜劑。 

    5、氫化銻（SbH3）：劇毒。用作製造n型矽半導體時的氣相摻雜劑。

    6、乙硼烷（B2H6）：窒息臭味的劇毒氣體。硼烷是氣態雜質源、離子注入和硼摻雜氧化擴散的摻雜劑，它也曾作為高能燃料用於火箭和導彈的燃料。

    7、三氟化硼（BF3）：有毒，極強刺激性。主要用作P型摻雜劑、離子注入源和等離子刻蝕氣體。

    8、三氟化氮（NF3）：毒性較強。主要用於化學氣相澱積（CVD）裝置的清洗。三氟化氮可以單獨或與其它氣體組合，用作等離子體工藝的蝕刻氣體，例 如，NF3、NF3/Ar、NF3/He用於矽化合物MoSi2的蝕刻；NF3/CCl4、NF3/HCl既用於MoSi2的蝕刻，也用於NbSi2的蝕 刻。

    9、三氟化磷（PF3）：毒性極強。作為氣態磷離子注入源。

    10、四氟化矽（SiF4）：遇水生成腐蝕性極強的氟矽酸。主要用於氮化矽（Si3N4）和矽化鉭（TaSi2）的等離子蝕刻、發光二極管P型摻雜、離子注入工藝、外延沉積擴散的矽源和光導纖維用高純石英玻璃的原料。

    11、五氟化磷（PF5）：在潮濕的空氣中產生有毒的氟化氫煙霧。用作氣態磷離子注入源。

    12、四氟化碳（CF4）：作為等離子蝕刻工藝中常用的工作氣體，是二氧化矽、氮化矽的等離子蝕刻劑。

    13、六氟乙烷（C2H6）：在等離子工藝中作為二氧化矽和磷矽玻璃的幹蝕氣。

    14、全氟丙烷（C3F8）：在等離子蝕刻工藝中，作為二氧化矽膜、磷矽玻璃膜的蝕刻氣體。
    半導體工業常用的混合氣體

    1、外延（生長）混合氣：在半導體工業中，在仔細選擇的襯底上選用化學氣相澱積的方法，生長一層或多層材料所用的氣體叫作外延氣體。常用的矽外延氣體有二 氯二氫矽（DCS）、四氯化矽（SiCl4）和矽烷等。主要用於外延矽澱積、氧化矽膜澱積、氮化矽膜澱積，太陽能電池和其它光感受器的非晶矽膜澱積等。外 延是一種單晶材料澱積並生長在襯底表麵上的過程。

    2、化學氣相澱積（CVD）用混合氣：CVD是利用揮發性化合物，通過氣相化學反應澱積某種單質和化合物的一種方法，即應用氣相化學反應的一種成膜方法。依據成膜種類，使用的化學氣相澱積（CVD）氣體也不同。

    3、摻雜混合氣：在半導體器件和集成電路製造中，進口電子氣體加微信號bluceren谘詢了解。將某些雜質摻入半導體材料內，使材料具有所需要的導電類 型和一定的電阻率，以製造電阻、PN結、埋層等。摻雜工藝所用的氣體稱為摻雜氣體。主要包括砷烷、磷烷、三氟化磷、五氟化磷、三氟化砷、五氟化砷、三氟化 硼、乙硼烷等。通常將摻雜源與運載氣體（如氬氣和氮氣）在源櫃中混合，混合後氣流連續注入擴散爐內並環繞晶片四周，在晶片表麵沉積上摻雜劑，進而與矽反應 生成摻雜金屬而徙動進入矽。

    4、蝕刻混合氣：蝕刻就是將基片上無光刻膠掩蔽的加工表麵（如金屬膜、氧化矽膜等）蝕刻掉，而使有光刻膠掩蔽的區域保存下來，以便在基片表麵上獲得所需要 的成像圖形。蝕刻方法有濕法化學蝕刻和幹法化學蝕刻。幹法化學蝕刻所用氣體稱為蝕刻氣體。蝕刻氣體通常多為氟化物氣體（鹵化物類），例如四氟化碳、三氟化 氮、三氟甲烷、六氟乙烷、全氟丙烷等。

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